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第104章 碳基之辩（第2页）

“利用中心现有的原子层沉积和纳米压印光刻设备，结合改进的cVd工艺，这套方案具备工程实现的初步可能性。

定位精度，理论上可控制在±0.5纳米以内，手性可控率目标大于85%。”

彭院士死死盯着屏幕上那近乎完美的模拟结果，呼吸变得粗重起来。

他猛地抬起头，看向陈羽墨，眼神不再是质疑，而是充满了震撼！

他喃喃道：“应力场……电场协同……模板诱导……这思路……这需要对材料生长动力学和量子尺度力场有……近乎恐怖的洞察力！

小子，你是怎么想到的？！”

陈羽墨没有回答这个问题，他的目光转向一直沉默、但眼神锐利如鹰隼般审视着每一个模拟细节的张教授。

“解决了材料生长，只是第一步。”

张教授的声音响起，冷静得像是在分析电路板上的一个故障点，但微微加快的语速暴露了他内心的不平静，“半导体碳纳米管阵列只是‘砖块’。

如何用这些‘砖块’搭建出逻辑门——这栋大厦的功能单元，才是真正的考验！”

他指向屏幕，瞬间调出了计划书中提到的“新型碳基场效应晶体管”

的初步概念图。

“硅基FEt，我们研究了几十年，工艺成熟，物理模型清晰。

但碳基呢？它的载流子迁移率理论极高，但如何实现有效、稳定、低功耗的栅极调控？界面态陷阱、接触电阻、特别是不同碳管之间的互连问题——这些在硅基上看似‘常规’的问题，在碳基纳米尺度下，每一个都足以让整个器件失效！”

张教授的问题直指核心，充满了工程师面对未知领域的务实和担忧。

“还有，就算单个器件做出来，如何设计电路？现有的EdA工具是基于硅基模型开发的！

碳基器件的物理特性完全不同，驱动电压、开关特性、噪声容限……所有参数都要推倒重来！

没有成熟的设计工具，没有验证模型，我们难道要用手工画版图吗？这效率，别说180天，1800天都未必够！”

面对张教授连珠炮般的犀利质疑，陈羽墨的神色反而更加沉静。

他手指在键盘上轻点，屏幕画面再次切换。

左边是碳基FEt的详细三维结构模型，右边则同步显示着复杂的量子力学能带计算和电子输运模拟结果。

“张教授问到了关键。”

陈羽墨的声音沉稳而自信，“栅极调控和互连，是碳基器件的两大命门。”

他放大模型的关键节点，“针对栅极调控，我们提出一种‘异质叠层栅介质’方案。

利用特定高介电常数材料与超薄钝化层的组合，精确调控碳管沟道表面的电场分布，同时最大程度抑制界面态陷阱电荷的产生。

模拟显示，其开关比可媲美甚至超越当前最先进的硅基FinFEt器件。”

他调出对比数据流，令人信服的数字瀑布般滚动。

“至于互连，”

陈羽墨的指尖划过模型上连接不同碳纳米管的、极其微小的“导线”

，“我们摒弃传统的金属填充互连，那在纳米尺度下电阻和热效应会失控。

采用‘选择性原位生长金属性碳纳米管互连线’技术。”

屏幕上动态演示着在特定催化剂和电场引导下，金属性碳管在半导体性碳管阵列的指定位置“生长”

出来，形成天然的、低电阻的互连通路！

“这不仅能解决互连电阻问题，更能保证材料体系的一致性，减少热失配和应力集中。”